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薄膜制备设备
产品内容
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分子束外延设备（MBE ⅢB设备）
一、主要用途： 应用于研究和确定晶体生长机理及开展表面物理研究，并可生长各种半导体材料。可精确控制外延薄膜的厚度,成分和搀杂浓度,外延生长时可做原位分析与检测,实现原子尺度的外延生长。二、技术指标：1.极限真空：6.7×10-8Pa2.系统结构：Φ300×250（mm）圆形不锈钢；3.样品台：三工位，可公转自转，可升降调节，最高可加热至800℃；三、系统组成： 本系统主要由真空抽气系统、真空室
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激光分子束外延进样室改造
一、项目的技术要求和技术指标：（1）、结构： 三室立式并联门结构，一个进样室，一个预处理室，一个是镀膜室（已有）；三室之间通过CF100的手动闸板阀连接，进行样品的传递和交接； 两个真空室独立的真空抽气机组； 样品室和预处理室采用圆筒形立式结构；（2）、真空度： 预处理室、进样室极限真空度≤1×10-6Pa； 系统漏率：1×10-7PaL/S； 进样室、预处理室采用独立的分子泵（国产）
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超高真空脉冲激光溅射沉积室系统
一、主要技术指标：1.采用双室结构（镀膜室+样品室），不锈钢材料，磁力传递进行交接；2.激光溅射沉积室，极限真空度优于：8.0×10-8Pa；工作真空度：40分钟内从大气抽到5×10-4Pa；系统漏率为：1×10-7PaL/s；样品室极限真空度优于：8.0×10-4Pa；工作真空度：40分钟内从大气抽到5×10-3Pa；系统漏率为：1×10-7PaL/s; 3.样品架可加热
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