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PLD系统

一、设备用途:  制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。二、主要技术指标:1.激光溅射沉积室,极限真空度优于:⒍6×10E-5Pa;工作真空度:40分钟内从大气抽到5×10-4Pa;系统漏率为:1×10-7PaL/s;2.激光束扫描装置:具有两个自由度;              3.样品架可加热及连续旋转,加热温度:800ºC±1ºC,旋转速度为:0~60转/分;样品最大尺寸为Ф60㎜
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产品描述
参数
一、技术指标:
1. 激光溅射沉积室,极限真空度优于:⒍6×10E-5Pa;工作真空度:40分钟内从大气抽到5×10-4Pa;系统漏率为:1×10-7PaL/s;
2. 激光束扫描装置:具有两个自由度;                            
3. 样品架可加热及连续旋转,加热温度:800ºC±1ºC,旋转速度为:0~60转/分;样品最大尺寸为Ф60㎜一个; 计算机控制转速;                     
4. 激光靶材尺寸:Ф50×5㎜;尺寸可调;共四块,四块靶材可公转换位同时靶材可自转,自转速度为:0~60转/分,连续旋转;计算机控制;                                    
5. 真空抽气采用600升/秒分子泵+8升/秒机械泵;                
6. 激光溅射沉积室尺寸:Ф450球型结构,箱体上开有连接激光靶、样品架、真空闸板阀、气路阀等法兰接口。 
二、系统组成:
    主要由激光沉积室、真空抽气及测量系统、样品台及加热旋转系统、激光旋转靶台系统、窗口与法兰组件系统、激光束扫描系统、电控系统、配气系统、辅助系统等部分组成。
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