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PECVDⅡ 微波等离子体系统

一、主要用途:    该设备主要用于在玻璃瓶内表面沉积SiO2薄膜。二、技术指标:1、极限真空度:≤6×10-4Pa,真空漏率:5×10-6 PaL/S;2.三种不同尺寸样品,最多一次可同时做6个玻璃瓶样品;玻璃瓶外表面在大气中,内表面抽真空;3.真空室带有加热功能,可加热到100℃,通过碘钨灯加热;4.气体流量控制系统:共三路进气,分别为氧气、氩气和硅烷,气体流量可设定可控制;为了精确控制气体流
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产品描述
参数

一、主要用途:

    该设备主要用于在玻璃瓶内表面沉积SiO2薄膜。

二、技术指标:

1、极限真空度:≤6×10-4Pa,真空漏率:5×10-6 PaL/S;

2. 三种不同尺寸样品,最多一次可同时做6个玻璃瓶样品;玻璃瓶外表面在大气中,内表面抽真空;

3. 真空室带有加热功能,可加热到100℃,通过碘钨灯加热;

4. 气体流量控制系统:共三路进气,分别为氧气、氩气和硅烷,气体流量可设定可控制;为了精确控制气体流量,采用质量流量计控制,流量范围:0~200 sccm ;

5. 设备带有断水断电联锁保护;

6. 微波源:微波频率2.45GHz,输出功率:0~500W,脉冲连续可调。

三、系统组成:

    该系统主要由真空抽气及测量系统、真空室系统、样品架系统、微波等离子体系统、样品加热出气系统、微波源外罩系统、气体流量控制系统、电控系统及辅助系统组成。

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