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磁控溅射镀膜系统
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蒸发源制备台
TA21-19D

蒸发源制备台

所属分类
磁控溅射镀膜系统
TA21-19D
产品描述
参数

主要技术指标：

1 极限真空度≤5.0×10-5 Pa(经烘烤除气后,24h后)；

2 系统漏率≤1.0×10-7 Pa·L/s；

3 系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，30分钟可达到4.0×10-4 Pa；

4 真空腔室系统加热温度为室温～300℃，控温精度±1℃

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