产品描述
参数
技术要求和指标
1、真空腔尺寸直径500mm×高600mm（以最终设计尺寸为准），材质为优质不锈钢。
2、设备真空系统硬件选用一线品牌，极限真空度≤5.0×10℃Pa，系统漏率≤1.0×107Pa·L/s，分子泵满转后真空系统45分钟可达到5.0×10 Pa。3.3、设备采用直流电源，可镀金属膜，磁控靶直流射频兼容。
4、设备满足四靶共溅射镀膜，配置3英寸标准磁控靶4个，永磁靶和强磁靶均可镀膜。
5、设备满足陶瓷或金属或复合材料样品的镀膜，镀膜方式可实现单层膜，可分别镀多层膜，也可实现多层同时镀膜（即合金膜）。
6、样品台具有加热和旋转功能，可放置直径50mm的样品镀膜，最高的加温温度不低于600℃，控温精度：±1℃，样品台自转转速0～30转/分可控，均可实现计算机采集控制。
7、样品台与磁控靶高度距离不低于60mm，且可调整。
8、气体流量控制，实现计算机采集控制。
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