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薄膜传感器制备设备

主要技术指标:1.磁控溅射(离子源沉积)镀膜设备技术指标:满足样品尺寸:长250mm×宽200mm×厚150mm;有效镀膜区域:150mm×100mm;极限真空:小于7.0×10-5Pa(环境湿度≤55%);真空室漏气率:≤5.0×10-8Pa·L/s;抽气速率:系统短时间暴露大气并充干燥N2开始抽气,分子泵正常工作后溅射室60分钟可达到8.0×10-4Pa;真空获得系统停泵关机12小时后真空度:≤5Pa;气路:三路气路,包含氩气、氧气、氮气;满足溅射材料:金属、合金等导电材料,特别是Al、NiCrAlY、NiCr/NiSi、Pt/PtRh等材料;溅射靶:磁控溅射靶两只;溅射不均匀性:≤±5%(150mm×100mm范围内);工件台旋转:转速1~35rpm可调;样品加热:样品表面温度可达600℃,自动测温、控温,多段控温模式。2.电子束蒸发镀膜设备技术指标满足样品尺寸:长250mm×宽200mm×厚150mm;有效镀膜区域:150mm×100mm;极限真空:小于7.0×10-5Pa(环境湿度≤55%);真空室漏气率:≤5.0×10-8Pa·L/s;抽气速率:系统短时间暴露大气并充干燥N2开始抽气,分子泵正常工作后真空室60分钟可达到8.0×10-4Pa;满足蒸发材料:Al2O3等绝缘材料;蒸发溅射不均匀性:≤±6%(平面样品150mm×100mm范围内);离子源:出口束径不小于Φ150mm,满足清洗和辅助沉积功能;气路两路,可控制O2、Ar2;件台旋转:可自转,转速1~35rpm可调;样品加热:样品最高可达800℃,自动测温、控温,多段控温模式;在线膜厚监测系统:监测厚度显示范围:0~99μ9999Å,厚度显示分辨率:1Å,速率显示范围:0~9999.9Å,速率显示分辨率:0.1Å。
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产品描述
参数
主要技术指标:
1.磁控溅射(离子源沉积)镀膜设备技术指标:
  • 满足样品尺寸:长250mm×宽200mm×厚150mm;
  • 有效镀膜区域:150mm×100mm;
  • 极限真空:小于7.0×10-5Pa(环境湿度≤55%);
  • 真空室漏气率:≤5.0×10-8Pa·L/s;
  • 抽气速率:系统短时间暴露大气并充干燥N2开始抽气,分子泵正常工作后溅射室60分钟可达到8.0×10-4Pa;
  • 真空获得系统停泵关机12小时后真空度:≤5Pa;
  • 气路:三路气路,包含氩气、氧气、氮气;
  • 满足溅射材料:金属、合金等导电材料,特别是Al、NiCrAlY、NiCr/NiSi、Pt/PtRh等材料;
  • 溅射靶:磁控溅射靶两只;
  • 溅射不均匀性:≤±5%(150mm×100mm范围内);
  • 工件台旋转:转速1~35rpm可调;
  • 样品加热:样品表面温度可达600℃,自动测温、控温,多段控温模式。
2.电子束蒸发镀膜设备技术指标
  • 满足样品尺寸:长250mm×宽200mm×厚150mm;
  • 有效镀膜区域:150mm×100mm;
  • 极限真空:小于7.0×10-5Pa(环境湿度≤55%);
  • 真空室漏气率:≤5.0×10-8Pa·L/s;
  • 抽气速率:系统短时间暴露大气并充干燥N2开始抽气,分子泵正常工作后真空室60分钟可达到8.0×10-4Pa;
  • 满足蒸发材料:Al2O3等绝缘材料;
  • 蒸发溅射不均匀性:≤±6%(平面样品150mm×100mm范围内);
  • 离子源:出口束径不小于Φ150 mm,满足清洗和辅助沉积功能;
  • 气路两路,可控制O2、Ar2;
  • 件台旋转:可自转,转速1~35rpm可调;
  • 样品加热:样品最高可达800℃,自动测温、控温,多段控温模式;
  • 在线膜厚监测系统:监测厚度显示范围:0~99μ9999Å,厚度显示分辨率:1 Å,速率显示范围:0~9999.9 Å,速率显示分辨率:0.1 Å。
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