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单室电子束蒸发系统

单室电子束蒸发系统技术协议一、设备目的:  设备用于制备高纯度、高精度半导体薄膜,导电薄膜、铁电薄膜及光学薄膜等。二、技术要求:1、镀膜室:镀膜腔室尺寸约为Φ400*820mm(以实际设计为准),不锈钢材料,圆柱形结构,真空室上铰链方门结构,真空室带有水冷。2、抽气系统:采用分子泵+干泵抽气系统。(甲方自备)2.1、真空度:镀膜室的极限真空≤6.7×10-5Pa;达到工作压强时间:从一个大气压(充
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产品描述
参数

单室电子束蒸发系统技术协议

一、设备目的:

    设备用于制备高纯度、高精度半导体薄膜,导电薄膜、铁电薄膜及光学薄膜等。

二、技术要求:

1、镀膜室:镀膜腔室尺寸约为Φ400*820mm(以实际设计为准),不锈钢材料,圆柱形结构,真空室上铰链方门结构,真空室带有水冷。

2、抽气系统:采用分子泵+干泵抽气系统。(甲方自备)

2.1、真空度:镀膜室的极限真空≤6.7×10-5Pa;达到工作压强时间:从一个大气压(充入干燥氮气,不打开真空室)至6.7×10-4Pa≤90min;

2.2、系统漏率≤6.7×10-7Pa·L/s;

2.3、真空室带有旁抽功能;

3、电子枪系统:

    坩埚及转位四穴、环形;功率10Kw;270°;XY扫描;10ml;水冷;电子蒸发速率可控;

4、样品架系统:

4.1、样品架可放置3英寸的样品;

4.2、样品架可旋转,旋转速度为:1~50转/分可调;

4.3、样品可加热,加热温度为:室温~600℃可控;

4.4、样品台可上下移动,与电子枪坩埚距离200-300mm与350-450之间可调;

4.5、样品与水平方向成30度角,样品调整结构为竖直方向;

4.6、安装:样品安装在真空室的上盖上,蒸发源安装在真空室的下盖上,向上蒸发镀膜。

5、设备带有进口英富康高精度单探头膜厚测试仪安装接口CF35,带气动挡板。

6、设备带有断水断电连锁保护报警装置、防误操作保护报警装置。

7. 实验室应配有冷却循环水机,为真空泵、真空室、膜厚测试仪冷却。

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