真空半导体薄膜系统
一、系统技术指标：
1、真空系统：
1.1、采用真空泵作为真空获得系统，由两级泵设计，分别为分子泵（中科科仪1200L/s）+干泵(8L/s瓦里安)；
1.2、真空度：3小时左右到达极限真空8*10-5PA（冷态）；漏率小于1x10-9Torr.L/S。
2、腔体（chamber）：
2.1、主体：壁厚8mm，材质为1Cr18Ni9Ti不锈钢，外腔净尺寸Ф500mm*600mm；
2.2、腔体进行抛光处理和应力处理，保证5年内真空室主体和开门无变形，无泄露；
2.3、腔体要求密封，出厂前进行检漏测试，泄露小于漏率小于1x10-9Torr.L/S方为合格；
2.4、真空室外表面带有水道（密一些），对真空室进行冷却；
2.5、真空室前门位于前方正中心，距离底部300mm，带有铰链结构，氟橡胶圈密封，靠近真空室一侧带有水道；
2.6、真空室正上方Φ50及斜上方Φ150观察窗采用CF标准观察窗，斜上方150观察窗中心线正好到达样品中心，能完全看到4英寸的样品，需要观察窗手动挡板。；
2.7、除前开门外，所有密封口均采用无氧铜金属密封。
3、 感应加热：在腔体中心有一圆盘式的感应加热元件，温度在1400-1600摄氏度（圆盘直径127mm,厚10mm), 因此腔体内部需要有反射层（抛光或者加耐高温反射涂层），外部有水冷管。感应电源接口为直径4.5英寸的标准法兰（甲方自制），乙方只做CF63的标准法兰接口,法兰中心距离腔体底部250mm；
4、设备配有手动恒压控制，采用质量流量控制器+干泵+手动闸板阀来控制真空室压力恒定；
5、常压模式通过流量控制氢气进入真空室，进气口放置在腔体顶部，设计成喷头形式；
6、真空室底部通过CF16阀门打开排放到实验室尾气回收系统；
7、设计系统具有断水报警，切断相应电源功能。
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