产品描述
参数
射频电源：功率：1kW，频率13.56MHz。真空室改造：
真空度：由1×10~Pa提高到5×10~Pa；
加工速率：由<100nm/min提高到>500nm/min（以硅为基片材料）偏压射频电源功率：500W，频率13.56MHz。微波源功率：1kW，频率2.45GHz。
刻蚀均匀性：由原基片中心与边缘的差值较大改善为小于5%。
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