高温氯化物化学气相沉积系统
一、设备用途：
高温CVD设备主要采用在真空下，对样品加热作为CVD反应的环境和条件，通入反应气体（四氯化硅），在柱状样品表面沉积薄膜。
二、技术指标：
1、整体结构：外壳采用石英管式材料，卧式结构；与两端不锈钢法兰连接，法兰断面有水冷；在反应室右端进气（正对设备），左端出气；反应室左右侧为导轨移动门，用于取放水平移动样品和选择样品。
2、抽气系统：
2.1、真空室极限真空度：5.0Pa；
2.2、系统漏率：1×10-7PaL/S；
2.3、抽气机组：采用北京优成抽速为6L/S机械泵和KF25手动隔膜阀组成真空抽气系统；设备整体KF接口，全部采用KF25尺寸。真空泵进气口采用机械式压差阀。
3、样品架系统：两种样品架，一种水平移动样品架，一种旋转样品架；
3.1、水平移动样品架：
3.1.1、样品移动方式：采用两端缠放式滚轮结构使样品移动；
3.1.2、左右方向移动：移动范围以0-400mm之间可调，电动控制 也可手动微调；
3.1.3、水平移动样品移动采用扫描往复运动方式进行镀膜，运动方式和速度可编程控制；另外需要在控制面板上添加调速转扭和控制定制停止和运动的开关。
3.1.4、在镀膜过程中进气管道和出气管道保持不动，样品移动；
3.1.5、样品尺寸：外径ø50mm，长500mm宽，厚度3、4、5mm不等；
3.1.6、移动速度0.5～5mm/min；
3.1.7、滚轮可电动控制也可手动调节。
3.2、旋转样品架：
3.2.1、样品移动方式：采用直流电机带动转轴结构使样品旋转；
3.2.2、样品转动速度：15-60转/分钟之间可调，电动控制；另外需要在控制面板上添加调速转扭和控制定制停止和运动的开关；
3.2.3、在镀膜过程中进气管道带动样品存放筒旋转，出气管道保持不动；
3.2.4、样品尺寸：外径ø50mm，内径ø40mm，长100mm。
4、加热炉系统：
4.1、石英管式炉外带有水冷RF电感线圈，通过高频对石英管内样品进行加热。
4.2、电感线圈尺寸：用ø10mm的缠制，内径215mm，长度100mm；
4.3、高频电源的功率：50千瓦，频率：10～20kHz；
4.4、石英管式炉内，有圆柱形石墨碳毡保温导向套，防止热损失过大；
圆筒形石墨碳毡保温导向套长度200mm；内外表面碳纤维布；
4.5、样品加热：样品可加热至1650℃,控温精度±1℃；
4.6、选用德国欧普士红外测温仪器对样品测温，测量范围250～1800度，精度±0.3%；
4.7、碳毡需要易于拆卸，以便于清理玻璃管内侧。因观察孔部分可能会在实验后变色。
5、气路系统：
共有两种源罐，一种为液态源罐，一种为固态源罐；液态源罐有两个源罐，平面移动样品和转动样品都可使用，一种液态源罐是氢气做为载气携带四氯化硅通过质量流量控制器进入反应室，进入真空室之前与氢气和甲烷混合，一路氮气作为清洗流量控制器和管道使用；另一种液态源罐同上基本相同，区别在于不需要通过质量流量控制器进入反应室，液位仪可以通过聚四氟片进行清洗；固态源是旋转样品筒使用，但使用时不需要选择，氢气作为载气与二氧化碳混合后进入反应室。
6、连锁保护：设备具有断水断电连锁保护功能，有防止误操作保护功能；过压（超过1.2大气压）断电断气功能。
7、电控系统：
电控系统主要由样品运动控制系统、加热控制系统、真空参数测量系统、流量控制系统（流量控制系统要求可按1键同时通入自选1-5种气体或按1键可同时切断所选1-5种气体）、计算机系统等组成。
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