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化学气相沉积设备（CVD）

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小型MOCVD低温镀膜设备

所属分类

化学气相沉积设备（CVD）

主要技术指标：真空指标极限真空度：优于5×10-5Pa；工作真空优于5×10-4Pa，恢复真空时间（冷态）小于等于45min；系统漏率：小于等于5×10-7Pa·L/s；镀膜方式磁控溅射系统采用三靶共溅射镀膜方式实现；PECVD系统采用射频电容耦合方式产生等离子体方式实现薄膜制备；样品台加热范围PECVD系统与磁控溅射系统，分别单独运行；加热温度：室温～600℃可调，样品有效范围内温度不均匀性不

产品描述

参数

主要技术指标：

真空指标	极限真空度：优于5×10^-5Pa；工作真空优于5×10^-4Pa，恢复真空时间（冷态）小于等于45min；系统漏率：小于等于5×10^-7Pa·L/s；
镀膜方式	磁控溅射系统采用三靶共溅射镀膜方式实现；PECVD系统采用射频电容耦合方式产生等离子体方式实现薄膜制备；
样品台加热范围	PECVD系统与磁控溅射系统，分别单独运行；加热温度：室温～600℃可调，样品有效范围内温度不均匀性不超过±5℃。
工装系统	PECVD镀膜室工装系统要求可以单次完成不低于30个样件的镀层制备；磁控溅射系统每次可镀小于Φ40mm样品一个，也可镀小样品；
气路系统	PECVD系统：工艺气体为N₂、硅烷、氨气和一路备用，三路分别通过流量计进入喷淋盒中，避免提前反应；磁控溅射系统：N₂、Ar两路气体分别通过流量计进入真空室；
烘烤照明	磁控溅射真空室通过碘钨灯组件进行烘烤除气，烘烤去气温度为室温～150度；
尾气处理系统	采用化学方法处理抽气系统的尾气，设计一套耐腐蚀的尾气处理箱，尾气达到相关环保排放标准后，可排出室外。