PLD真空 系统
一、设备用途：
制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。
二、设备主要技术指标和要求：
1、激光溅射沉积室，极限真空度优于：6.6×10-5Pa；工作真空度：一小时内从大气抽到8×10-4Pa；系统漏率为：1×10-7PaL/s；
2、样品架可加热，样品安装快捷方便，加热温度：900ºC±1ºC（采用Φ1.2mm铂丝长约2150mm，采用陶瓷炉盘，铂丝螺旋式结构）；样品台尺寸2英寸，样品多片很小，采用粘接方式固定；
3、激光靶材尺寸：Ф20×5㎜；尺寸可调；共四块，采用压环式结构，四块靶材可公转换位同时靶材可自转，自转速度为：0～60转/分，连续旋转；
4、真空抽气采用620升/秒分子泵＋9升/秒机械泵；
5、激光溅射沉积室尺寸：Ф450球型结构，真空室外表面带有水冷槽，真空室上开有连接四工位靶台、样品活开门、样品架、激光窗口、真空闸板阀、气路阀等法兰接口，同时真空室留有两个CF35备用接口，真空室上方开有一个CF100观察窗接口并安装一个CF100观察窗；
不锈钢材料制造，氩弧焊接，外表面喷玻璃丸处理；
6、激光入射窗口1个：Ф100㎜，248nm，石英窗口；
7、两路工作气体气路，采用质量流量计和截止阀控制进气，气路管道采用进口1/4英寸内抛光不锈钢管道；
8、靶的公转换位、自转以及样品加热温度采用PLC+触摸屏来控制实现。
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