激光增强化学气相沉积(LCVD)镀膜设备的CVD腔体
一、设备用途：
高温CVD设备主要采用在真空下，对样品加热作为CVD反应的环境和条件，通入反应气体，在平面样品或叶片状样品表面沉积薄膜。
二、、技术指标：
1、整体结构：采用圆柱形真空室前开门铰链结构，真空室带水冷。真空室选用304不锈钢材料制造,所有真空焊接位置全部氩弧焊接,真空室外表面电解抛光处理。
2、抽气系统：
2.1、真空室极限真空度：＜5.0Pa；
2.2、系统漏率：＜1×10-7PaL/S；
2.3、抽气机组：采用国产TRP36直联式机械泵1台及进口蝶阀组成真空抽气系统；
2.4、压力控制：采用英福康薄膜规（CDG025-100torr）和VATKF40可控阀门实现压力的自动闭环控制。
3、样品架系统：
两种样品架,一种平面样品架,一种叶片样品架。
3.1、平面样品架：
3.1.1 、样品转动：速度1-50 转/分钟可调，电动控制；
3.1.2、左右方向移动：移动范围0-60mm之间可调，保证40*40mm2激光光斑在样品旋转的时候完全能扫描整个样品，电动控制；
3.1.3、 平面样品移动采用扫描往复运动方式进行镀膜，运动方式和速度可编程控制，在镀膜过程中喷嘴不动；
3.1.4、样品尺寸：Φ200×5 mm（最大样品）；
3.1.5、 移动速度0.5～5mm/min之间可调。
3.2、叶片样品架：
3.2.1、前后方向移动：移动范围以样品的中心为中点-40mm至+40mm之间可调，电动控制；
3.2.2、样品转动：速度15-150分钟/转可调，电动控制；
3.2.3、叶片样品旋转和平移同时进行，速度可编程控制，在镀膜过程中喷嘴不动；
3.2.4、叶片样品最大尺寸：叶身长宽高最大90×50×30（毫米），叶片总尺寸最大130×70×50 （毫米），榫端（固定端）40×50×50（毫米）。
4、加热炉系统：
两种加热形式：一种为平面样品加热，一种为叶片型样品外部加热。
4.1、平面样品加热：
4.1.1、加热方式：采用辐射电阻加热方式（硅钼加热片），实现样品的加热。加热炉安装平面样品架上（平面样品下方）；
4.1.2、样品加热：样品可加热900℃，控温精度±2℃；
4.2、叶片样品加热：
4.2.1、加热方式：采用辐射电阻加热方式（圆柱硅钼筒），实现样品的加热。圆柱硅钼筒加热体安装在叶片样品外部；
4.2.2、样品加热：样品可加热900℃，控温精度±2℃。
5、气路系统：
有五路工艺气体，分别为二路氩气，一路氧气，一路甲烷和一路氢气。其中二路氩气为载气，通过质量流量控制器进入源灌，然后进入喷淋盒；氧气，甲烷和氢气分别通过质量流量控制器混气后直接进入喷淋盒。
6、电控系统：
电控系统主要由样品运动控制系统、加热控制系统、真空参数测量系统、流量控制系统、计算机系统等组成。
7、冷却水系统：系统带有冷却循环水系统，对真空室冷却。
8、系统带有断水断电、防误操作联锁保护系统。
三、实施方案:
主要由真空抽气及测量系统、反应室系统、样品台系统、加热及控温系统、气路系统、辅助系统、电控系统等组成。
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