氯化物高温化学气相沉积系统
一、设备用途：
高温CVD设备主要采用在真空下，对样品加热作为CVD反应的环境和条件，通入反应气体（氯化物等腐蚀性气体），在板状样品或柱状样品表面沉积薄膜。
二、技术指标：
1、整体结构：采用圆柱形真空室前开门铰链结构，真空室圆筒、上下盖均采用双层 水冷结构，三部分全部二次加工。真空室所有部件选用耐腐蚀的316L不锈钢材料制造，所有真空焊接位置要求开坡口填料焊接,真空室内外表面电解抛光处理。
2、抽气系统：
2.1、真空室极限真空度：5.0Pa；
2.2、系统漏率：1×10-7PaL/S；
2.3、抽气机组：采用爱得华抽速为15M3/H防腐干泵和KF40手动阀门组成真空抽气系统。
3、样品架系统：
两种样品架,一种平面样品架,一种圆筒样品架；
3.1、平面样品架：
3.1.1、前后方向移动：移动范围以样品的中心为中心-60mm至+60mm之间可调，电动控制；
3.1.2、左右方向振动：移动范围以样品的中心为中心-60mm至+60mm之间可调，电动控制；
3.1.3 、平面样品移动采用扫描往复运动方式进行镀膜，运动方式和速度可编程控制，在镀膜过程中喷嘴不动；
3.1.3、样品尺寸：110长×110宽×5高mm；
3.1.4、 移动速度0.5～5mm/min。
3.2、圆筒样品架：
3.2.1、前后方向移动：移动范围以样品的中心为中心-60mm至+60mm之间可调，电动控制；
3.2.2、样品转动：速度15-150分钟/转可调，电动控制；
3.2.3 、圆筒样品旋转和平移同时进行，速度可编程控制，在镀膜过程中喷嘴不动；
3.2.4、样品尺寸：外径50×内径40×长度110mm。
4、加热炉系统：
两种加热形式：一种为平面样品加热，一种为圆筒型样品内部加热。
4.1、平面样品加热：
4.1.1、加热方式：采用辐射电阻加热方式（石墨加热片），实现样品的加热。加热炉安装真空室下盖法兰上（平面样品下方），加热炉可电动升降，升降40毫米（调节与样品的距离）；
4.1.2、样品加热：样品可加热1000℃，控温精度±1℃；
4.2、圆筒样品加热：
4.1.1、加热方式：采用辐射电阻加热方式（圆柱石墨筒），实现样品的加热。圆柱石墨加热体安装在圆筒样品内部；
4.1.2、样品加热：样品可加热1000℃，控温精度±1℃。
5、气路系统：
有四路工艺气体，分别为一路氢气、一路氢气和四氯化硅、一路甲烷、一路氮气。其中一路氢气和一路甲烷通过质量流量控制器直接进入喷淋盒；另一路氢气为载气，通过源灌进入喷淋盒；一路氮气为冲洗管路使用，氮气连接至四氯化硅流量器入口前方，冲洗流量器与腔体。
6、连锁保护：设备具有断水断电连锁保护功能，有防止误操作保护功能；过压（1.2大气压）断电断气功能。
7、电控系统：
电控系统主要由样品运动控制系统、加热控制系统、真空参数测量系统、流量控制系统、计算机系统等组成。
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