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化学气相沉积设备（CVD）

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MOCVD

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MOCVD系统

所属分类

MOCVD

一、主要用途：金属有机化学气相沉积系统主要用于金属氢化物薄膜的制备。二、技术指标： 1．尺寸：真空室直径约400mm，高度约450mm，材料：不锈钢； 2．真空度：背景真空8.0×10-6Pa，漏率为：1.0×10-7PaL/s； 3．真空室压力调节范围0.1Pa～500Pa，精度±1％；等离子体产生方式为RF射频电感耦合放电，频率13.56MHz，功率0～500W连续可调；

产品描述

参数

一、主要用途：

金属有机化学气相沉积系统主要用于金属氢化物薄膜的制备。

二、技术指标：

1．尺寸：真空室直径约400mm，高度约450mm，材料：不锈钢；
   2．真空度：背景真空8.0×10^-6Pa，漏率为：1.0×10^-7PaL/s；
   3．真空室压力调节范围0.1Pa～500Pa，精度±1％；等离子体产生方式为RF射频电感耦合放电，频率13.56MHz，功率0～500W连续可调；
    4. 衬底可以旋转和控温，旋转速率0～60rpm连续可调，旋转平稳度好，最高温度800℃，控温精度±1K，衬底盘直径80mm，在轴线方向位置可调，距离真空室顶部50mm～150mm；

5.烘烤照明：采用碘钨灯加热烘烤方式，对真空室进行烘烤除气，也可以当作照明用，加热温度为室温至200度，程序控温；
6.MO蒸气采用两处进气的方式，其一，从等离子体产生室顶部进气，其出口在石英腔中的位置可以调整，其二，从真空室侧面进气送入等离子体区域离化反应。

7.计算机控制系统：实现VAT闸板阀的控制及流量计的控制功能、电机的转动及升降的控制功能、温度及真空度的采集功能、压力控制及各阀开关的控制功能。

三、系统组成：

本设备主要由配气系统、真空室及真空系统、控制系统三部分组成。

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