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分子束外延设备(MBE ⅢB设备)
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分子束外延设备(MBE ⅢB设备)

一、主要用途:  应用于研究和确定晶体生长机理及开展表面物理研究,并可生长各种半导体材料。可精确控制外延薄膜的厚度,成分和搀杂浓度,外延生长时可做原位分析与检测,实现原子尺度的外延生长。二、技术指标:1.极限真空:6.7×10-8Pa2.系统结构:Φ300×250(mm)圆形不锈钢;3.样品台:三工位,可公转自转,可升降调节,最高可加热至800℃;三、系统组成:  本系统主要由真空抽气系统、真空室
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产品描述
参数

一、技术指标:
1.极限真空:6.7×10-8Pa
2.系统结构:Φ300×250(mm)圆形不锈钢;
3.样品台:三工位,可公转自转,可升降调节,最高可加热至800℃;

二、系统组成:
本系统主要由真空抽气系统、真空室、进样室、样品台系统加热及控温系统等组成。

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