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离子注入沉积真空靶室系统
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离子注入沉积真空靶室系统

一、主要用途:用途保密。二、技术指标:  1、整机漏率1*10-10Pa.m3/s;  2、球形真空室:尺寸约为Φ700,三个弧源,一个离子源;  3、转靶靶台与真空室绝缘,耐压值大于1000V;  4、真空室是非磁性材料;  5、工件架五套:二套平面、二套柱面、一套斜面;  6、实现电控控制功能。三、系统组成:该系统主要由真空抽气及测量系统、真空室系统、离子源接口、工件架系统、控制系统等组成。
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产品描述
参数

一、主要用途:用途保密。


二、技术指标:
   1、整机漏率1*10-10Pa.m3/s;
   2、球形真空室:尺寸约为Φ700,三个弧源,一个离子源;
   3、转靶靶台与真空室绝缘,耐压值大于1000V;
   4、真空室是非磁性材料;
   5、工件架五套:二套平面、二套柱面、一套斜面;
   6、实现电控控制功能。


三、系统组成:该系统主要由真空抽气及测量系统、真空室系统、离子源接口、工件架系统、控制系统等组成。

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